Vishay SI2323DS-T1-GE3
Obsolete
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -21.98%
Modelli CAD
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Parti alternative
1 parte disponibile
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Parti alternative
Questo componente
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Price @ 1000
$ 0.125
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Stock
462,745
3,830,701
3,830,701
Authorized Distributors
4
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-23-3
SOT-23-3
SOT-23-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
-20 V
-20 V
-20 V
Continuous Drain Current (ID)
3.7 A
3.6 A
3.6 A
Threshold Voltage
-1 V
-
-
Rds On Max
39 mΩ
35 mΩ
35 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
8 V
10 V
10 V
Power Dissipation
750 mW
810 mW
810 mW
Input Capacitance
1.02 nF
1.61 nF
1.61 nF
Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-09-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2025-01-21
LTD Date2025-07-21
Parti correlate
Diodes Inc.DMN2075U-7
Single N-Channel 20 V 45 mOhm 7 nC 0.8 W Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23
Diodes Inc.DMP2035U-7
Single P-Channel 20 V 0.81 W 15.4 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23
VishaySI2302CDS-T1-E3
MOSFET, N CH, 20V, 2.6A, SOT-23-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Dra
Descrizioni
Descrizioni di Vishay SI2323DS-T1-GE3 fornite dai suoi distributori.
Single P-Channel 20 V 0.039 O 19 nC Surface Mount Power Mosfet - SOT-23
20V 3.7A 39m´Î@4.5V4.7A 750mW 1V@250Ã×A P Channel SOT-23(SOT-23-3) MOSFETs ROHS
Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Continuous Drain Current, Id:-4700mA; Drain Source Voltage, Vds:-20V; On Resistance, Rds(on):0.068ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:8V; Threshold Voltage, Vgs Typ:-1V ;RoHS Compliant: Yes
MOSFET, P CH, 20V, 4.7A, TO-236; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-3.7A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):0.039ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Power Dissipation Pd:750mW; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:TO-236; No. of Pins:3; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C
Alias del produttore
Vishay ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Vishay può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -21.98%
Modelli CAD
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Parti alternative
1 parte disponibile
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT-23-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.437803 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance39 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time43 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance1.02 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation750 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-1 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation750 mW
Rds On Max39 mΩ
Resistance39 mΩ
Rise Time43 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-1 V
Turn-Off Delay Time71 ns
Turn-On Delay Time25 ns
Dimensions
Height1.12 mm
Length3.04 mm
Width1.4 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità