Vishay SI2314EDS-T1-GE3

Name: Vishay SI2314EDS-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: SI2314EDS-T1-GE3

Trans Mosfet N-ch 20V 3.77A 3-PIN SOT-23 T/r

$ 0.426

Obsolete

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Mouser	781-SI2314EDS-GE3	2950	1	Tape & Reel	1,470	0,902	0,594	0,426	0,311
Esaler Electronic	SI2314EDS-T1-GE3	3000			0,308	0,305	0,302	0,299	0,297	1d
Lixinc	SI2314EDS-T1-GE3	11.330			0,335	0,335	0,335	0,335	0,335	4d
Run Hong Electronics	SI2314EDS-T1-GE3	9808			0,239	0,239	0,239	0,239	0,239	1h
ZTZ Technology Limited	SI2314EDS-T1-GE3	3150			0,010	0,010	0,010	0,010	0,010	2d

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VishaySI2314EDS-T1-GE3

VishaySI2314EDS-T1-E3

Price @ 1000

$ 0.426

$ 0.399

Stock

44,742

410,754

Authorized Distributors

1

6

Mount

Surface Mount

Case/Package

SOT-23-3

TO-236

Drain to Source Voltage (Vdss)

20 V

Continuous Drain Current (ID)

3.77 A

Threshold Voltage

-

950 mV

Rds On Max

33 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

12 V

Power Dissipation

750 mW

Input Capacitance

-

Supply Chain

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2005-03-30

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)

LTB Date2024-11-03

LTD Date2025-05-03

Descrizioni

Descrizioni di Vishay SI2314EDS-T1-GE3 fornite dai suoi distributori.

Trans MOSFET N-CH 20V 3.77A 3-Pin SOT-23 T/R

Avnet

MOSFET 20V 4.9A 1.25W 33mohm @ 4.5V

Jak Electronics

Power Field-Effect Transistor, 3.77A I(D), 20V, 0.033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236

IHS

N CH MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.77A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):27mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:950mV; Power Dissipation Pd:750mW ;RoHS Compliant: Yes

Newark

Alias del produttore

Vishay ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Vishay può anche essere conosciuto con i seguenti nomi: