onsemi FDD86113LZ
$ 0.672
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | FDD86113LZ | 2500 | 2500 | 13h | ||||||||
| Newark | FDD86113LZ | 2309 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | FDD86113LZ | 2500 | 2500 | |||||||||
| Rochester Electronics | FDD86113LZ | 468 | 10h | |||||||||
| DigiKey | FDD86113LZFSCT-ND | 13.267 | 1 | Cut Tape |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +22.71%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi FDD86113LZ.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2011-12-16
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Parti correlate
VishayIRFR110PBF
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.3A; 0.54ohm; 25W; -55+150 deg.C; SMD; TO252(DPAK)
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FDD86113LZ fornite dai suoi distributori.
Shielded Gate PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 100V , 5.5 A, 104 mΩ
N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRENCH MOSFET Power Field-Effect Transistor, 4.2A I(D), 100V, 0.104ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
MOSFET, N-CH, 5.5A, 100V, TO-252; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 5.5A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.087ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 1.5V;
This N-Channel logic Level MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductor‘s advanced Power Trench® process that has been special tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. G-S zener has been added to enhance ESD voltage level.
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +22.71%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.2 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance104 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time1.6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance285 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation29 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.1 W
Rds On Max104 mΩ
Rise Time1.3 ns
Turn-Off Delay Time9.7 ns
Turn-On Delay Time3.6 ns
Dimensions
Height2.517 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi FDD86113LZ.
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità