Vishay IRFI9630GPBF
$ 1.18
Production
Prezzo e stock
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -2.32%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Modelli CAD
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1993-09-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Descrizioni
Descrizioni di Vishay IRFI9630GPBF fornite dai suoi distributori.
Single P-Channel 200 V 35 W 29 nC Silicon Through Hole Mosfet - TO-220FP
Trans MOSFET P-CH 200V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak
Avnet Japan
Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
P Ch Mosfet, -200V, 4.3A, To-220Fp; Transistor Polarity:P Channel; Drain Source Voltage Vds:200V; Continuous Drain Current Id:4.3A; On Resistance Rds(On):0.8Ohm; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Vishay IRFI9630GPBF
Alias del produttore
Vishay ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Vishay può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -2.32%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.000006 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage-200 V
Drain to Source Resistance800 mΩ
Element ConfigurationSingle
Fall Time24 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance700 pF
Isolation Voltage2500 Vrms
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation35 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation35 W
Rds On Max800 mΩ
Recovery Time300 ns
Rise Time27 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-4 V
Turn-Off Delay Time28 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height9.8 mm
Length10.63 mm
Width4.83 mm
Conformità
Classificazione ambientale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità