Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | IRF840LCLPBF-ND | 1965 | 1 | Tube | ||||||||
| TME | IRF840LCLPBF | 0 | 1 | 21h | ||||||||
| TTI | IRF840LCLPBF | 0 | 1K | Tube | 2d | |||||||
| Avnet | IRF840LCLPBF | 0 | 1K | 8h | ||||||||
| TTI Europe | IRF840LCLPBF | 0 | 1K | Tube | 2d |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -0.07%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Modelli CAD
Scarica il simbolo Vishay IRF840LCLPBF, l'impronta e i modelli STEP 3D dai nostri partner di fiducia.
| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-01-05
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Parti correlate
onsemiFQI9N50CTU
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 500V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
STMicroelectronicsSTB10NK60Z-1
N-channel 600 V, 0.65 Ohm typ., 10 A Zener-protected SuperMESH Power MOSFET in D2PAK package
STMicroelectronicsSTFI10N62K3
N-channel 620 V, 0.68 Ohm typ., 8.4 A SuperMESH3(TM) Power MOSFET in I2PAKFP package
onsemiFQI10N60CTU
Power Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 600V, 0.73ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Descrizioni
Descrizioni di Vishay IRF840LCLPBF fornite dai suoi distributori.
MOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
3.1W(Ta),125W(Tc) 30V 4V@ 250¦ÌA 39nC@ 10 V 1N 500V 850m¦¸@ 4.8A,10V 8A 1.1nF@25V I2PAK 10.67mm*4.83mm*9.65mm
NCHAN, SMD-220, 500V IRF840LCLPBF
Alias del produttore
Vishay ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Vishay può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -0.07%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Weight2.387001 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)8 A
Drain to Source Resistance850 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time19 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.1 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation125 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation3.1 W
Rds On Max850 mΩ
Rise Time25 ns
Turn-Off Delay Time27 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height9.65 mm
Length10.41 mm
Width4.7 mm
Conformità
Classificazione ambientale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità