onsemi FQI10N60CTU
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Distributore
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Pkg
Prezzi all'ingrosso
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: Restocked
Modelli CAD
0 models available
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi FQI10N60CTU.
Parti correlate
STMicroelectronicsSTB10NK60Z-1
N-channel 600 V, 0.65 Ohm typ., 10 A Zener-protected SuperMESH Power MOSFET in D2PAK package
onsemiFQI9N50CTU
135W(Tc) 4V@ 250¦ÌA 35nC@ 10V 1N 500V 800m¦¸@ 4.5A,10V 1.03pF@25V I2PAK,TO-262
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FQI10N60CTU fornite dai suoi distributori.
3.13W(Ta),156W(Tc) 4V@ 250¦ÌA 57nC@ 10V 1N 600V 730m¦¸@ 4.75A,10V 2.04pF@25V I2PAK,TO-262
Power Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 600V, 0.73ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, I2PAK-3
These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency switched mode power supplies, active power factor correction, electronic lamp ballasts based on half bridge topology.
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: Restocked
Modelli CAD
0 models available
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)9.5 A
Current Rating9.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance730 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time77 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance2.04 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation156 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max730 mΩ
Rise Time69 ns
Turn-Off Delay Time144 ns
Voltage Rating (DC)600 V
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità