Texas Instruments CSD87502Q2T
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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 EE Concierge | SimboloImpronta | ||
 SnapEDA | Impronta | 3D | Scarica |
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Supply Chain
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 15 hours ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 15 hours ago)
Risorse di progettazione
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Parti correlate
InfineonIRLML0030TRPBF
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; 27ohm; 1.3W; -55+150 deg.C; SMD; SOT23
Diodes Inc.DMN3404L-7
N-Channel 30 V 28 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3
Descrizioni
Descrizioni di Texas Instruments CSD87502Q2T fornite dai suoi distributori.
Dual N-Ch MOSFET 30V 5A 2.3W 32.4mΩ@4A,10V 353pF@15V 2V@250µA 6nC@10V SON SMD 2mm × 2mm × 750μm
30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, dual SON 2 mm x 2, 42 mOhm, gate ESD protection 6-WSON -55 to 150
MOSFET 2N-CH 30V 5A 6WSON / Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5A 2.3W Surface Mount 6-WSON (2x2)
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin WSON EP T/R
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.06ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Csd87502Q2T Rohs Compliant: Yes |TEXAS INSTRUMENTS CSD87502Q2T
MOSFET, DUAL N-CH, 30V, WSON-6
6-Terminal Dual Synchronous Power Module
MOS Power Transistors LV (< 200V)
MOSFET, DUAL N-CH, 30V, WSON-6; Polarité transistor: Double canal N; Courant de drain Id: 5A; Tension Vds max..: 30V; Résistance Rds(on): 0.027ohm; Tension, mesure Rds: 10V; Tension de seuil Vgs: 1.6V; Dissipation de puissance
Alias del produttore
Texas Instruments ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Texas Instruments può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- TI
- TEXAS
- TEXAS INST
- TEXAS INSTR
- TEXAS INSTRUMENT
- TEXAS INSTRUMENTS INC
- TEXAS INS
- TEXAS INSTRU
- TEXAS INSTRUMEN
- TI/NS
- TEX
- Texas Instruments (TI)
- TEXASIN
- TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
- TEXINS
- TEXAS INTRUMENTS
- TEAXS
- TEXASI
- TI Texas Instruments
- TEXAS INSTRUM
- TEXAS USD
- TEXAS INSRUMENTS
- TEXAS INSRUMENT
- TEXAS INSTUMENTS
- TI-ROHS
- Texas Instr.
- Texas Instruments Inc.
Cronologia dell'inventario
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Specifiche tecniche
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins6
Technical
Continuous Drain Current (ID)5 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance27 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)30 V
Element ConfigurationDual
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance353 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.3 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation2.3 W
Rds On Max32.4 mΩ
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.6 V
Turn-Off Delay Time12 ns
Turn-On Delay Time3 ns
Dimensions
Height800 µm
Length2 mm
Thickness750 µm
Width2 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
Lead FreeLead Free
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità