onsemi FDC021N30
$ 0.02
Obsolete
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Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
 EE Concierge | SimboloImpronta | ||
 SnapEDA | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
 Ultra Librarian | SimboloImpronta | Scarica |
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Supply Chain
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2015-12-31
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 days ago)
LTB Date2021-10-08
LTD Date2022-04-08
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 days ago)
Parti correlate
Diodes Inc.DMN3026LVT-7
1.2W(Ta) 20V 2V@250µA 12.5nC@10V 1 N-Ch 30V 23mΩ@6.5A,10V 6.6A 643pF@15V TSOT-23-6 SMD
Diodes Inc.DMN3026LVTQ-7
N-Ch MOSFET 30V 6.6A 23mΩ@6.5A,10V 2V@250µA 12.5nC@10V 643pF@15V TSOT-26 SMD
Diodes Inc.DMG6402LVT-7
Single N-Channel 30 V 42 mOhm 11.4 nC 1.75 W Silicon SMT Mosfet - TSOT-26
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FDC021N30 fornite dai suoi distributori.
N-Channel PowerTrench® MOSFET, 30V, 6.1A, 26 mΩ
Trans MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-Pin TSOT-23 T/R
POWERTRENCH MOSFET, PT8 N 30V/20V
MOSFET 30V/20V NChnl Power Trench MOSFET
Small Signal Field-Effect Transistor
Pt8 N 30V/20V Trench Mos/Reel |Onsemi FDC021N30
MOSFET N-CH 30V 6.1A SUPERSOT6
This N-Channel PowerTrench MOSFET is produced using Fairchild’s advanced PowerTrench® process that has been especially tailored to minimize on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance.
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT-23-6
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight36 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.1 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance26 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)30 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance710 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.6 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation700 mW
Rds On Max26 mΩ
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.8 V
Turn-Off Delay Time13 ns
Turn-On Delay Time6 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità