Texas Instruments CSD87381P
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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 EE Concierge | SimboloImpronta | ||
 SnapEDA | 3D | Scarica | |
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$ 0.508
Stock
937,390
392,322
Authorized Distributors
0
0
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
LGA
LGA
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
15 A
15 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
16.3 mΩ
16.3 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
8 V
4.5 V
Power Dissipation
4 W
4 W
Input Capacitance
564 pF
564 pF
Supply Chain
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 day ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Risorse di progettazione
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Kit di valutazione
Progetti di riferimento
Descrizioni
Descrizioni di Texas Instruments CSD87381P fornite dai suoi distributori.
30-V, N channel synchronous buck NexFET™ power MOSFET, 3 mm x 2.5 mm LGA, 15 A 5-PTAB -55 to 150
Mosfet, N-Ch, 30V, 15A, Lga-5 Rohs Compliant: Yes |TEXAS INSTRUMENTS CSD87381P
30V 15A 4W 16.3mΩ@8A,8V 2 N-Channel(Half Bridge) PTAB-5 MOSFETs ROHS
MOSFET,CANAL N, 30V, 15A, LGA-5;
Switching Regulator, 40A, 1500kHz Switching Freq-Max, PXSS5
MOSFET Sync Buck NexFET Pwr Block II
XSTR MOSFET DUAL N-CH POWER BLOCK-II
Synchronous Buck NexFET Power Block 5-Pin PTAB T/R
High Frequency Synchronous Power Module
Alias del produttore
Texas Instruments ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Texas Instruments può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- TI
- TEXAS
- TEXAS INST
- TEXAS INSTR
- TEXAS INSTRUMENT
- TEXAS INSTRUMENTS INC
- TEXAS INS
- TEXAS INSTRU
- TEXAS INSTRUMEN
- TI/NS
- TEX
- Texas Instruments (TI)
- TEXASIN
- TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
- TEXINS
- TEXAS INTRUMENTS
- TEAXS
- TEXASI
- TI Texas Instruments
- TEXAS INSTRUM
- TEXAS USD
- TEXAS INSRUMENTS
- TEXAS INSRUMENT
- TEXAS INSTUMENTS
- TI-ROHS
- Texas Instr.
- Texas Instruments Inc.
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageLGA
Contact PlatingGold
MountSurface Mount
Number of Pins5
Technical
Continuous Drain Current (ID)15 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time2.9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance564 pF
Max Junction Temperature (Tj)125 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Output Current40 A
Max Power Dissipation4 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Outputs1
Output Current per Channel15 A
Power Dissipation4 W
Rds On Max16.3 mΩ
Rise Time16.3 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time16.8 ns
Dimensions
Height480 µm
Length3 mm
Thickness400 µm
Width2.5 mm