Texas Instruments CSD18513Q5A
$ 0.264
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Questo componente
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Price @ 1000
$ 0.264
$ 0.376
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Stock
461,626
1,636,798
1,636,798
Authorized Distributors
4
6
6
Mount
-
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
-
-
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
40 V
40 V
Continuous Drain Current (ID)
100 A
21 A
21 A
Threshold Voltage
-
-
-
Rds On Max
-
3.2 mΩ
3.2 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
3.1 W
52 W
52 W
Input Capacitance
-
1.8 nF
1.8 nF
Supply Chain
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Risorse di progettazione
Visualizza i kit di valutazione e i progetti di riferimento per Texas Instruments CSD18513Q5A.
Progetti di riferimento
Descrizioni
Descrizioni di Texas Instruments CSD18513Q5A fornite dai suoi distributori.
40-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 3.4 mOhm 8-VSONP -55 to 150
MOSFET N-CH 40V 124A 8VSON N-Channel 40 V 124A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (5x6)
N-Ch MOSFET 40V 124A 96W(Tc) 5.3mΩ@19A,10V 2.4V@250µA 61nC@10V 4.28nF@20V SON-8 SMD 4.9mm × 5.75mm × 1mm
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R
Power Field-Effect Transistor, 124A I(D), 40V, 0.0053ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
IC VIDEO DRIVER TRUE SGL 16-QSOP
Alias del produttore
Texas Instruments ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Texas Instruments può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- TI
- TEXAS
- TEXAS INST
- TEXAS INSTR
- TEXAS INSTRUMENT
- TEXAS INSTRUMENTS INC
- TEXAS INS
- TEXAS INSTRU
- TEXAS INSTRUMEN
- TI/NS
- TEX
- Texas Instruments (TI)
- TEXASIN
- TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
- TEXINS
- TEXAS INTRUMENTS
- TEAXS
- TEXASI
- TI Texas Instruments
- TEXAS INSTRUM
- TEXAS USD
- TEXAS INSRUMENTS
- TEXAS INSRUMENT
- TEXAS INSTUMENTS
- TI-ROHS
- Texas Instr.
- Texas Instruments Inc.
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Specifiche tecniche
Physical
Number of Pins8
Technical
Continuous Drain Current (ID)100 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance2.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Power Dissipation3.1 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time21 ns
Turn-On Delay Time6 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Length4.9 mm
Thickness1 mm
Width6 mm