Texas Instruments CSD18509Q5BT
$ 1.236
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Price @ 1000
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$ 1.155
Stock
249,685
429,473
Authorized Distributors
5
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
-
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
40 V
Continuous Drain Current (ID)
38 A
38 A
Threshold Voltage
1.8 V
-
Rds On Max
1.2 mΩ
1.2 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
195 W
3.1 W
Input Capacitance
13.9 nF
13.9 nF
Supply Chain
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
Risorse di progettazione
Visualizza i kit di valutazione e i progetti di riferimento per Texas Instruments CSD18509Q5BT.
Parti correlate
InfineonIRFH7932TRPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PQFN 5X6 8L, RoHS
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N-channel 40 V, 0.0043 Ohm typ., 120 A StripFET II Power MOSFET in D2PAK package
Descrizioni
Descrizioni di Texas Instruments CSD18509Q5BT fornite dai suoi distributori.
40-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 1.2 mOhm 8-VSON-CLIP -55 to 150
TEXAS INSTRUMENTS CSD18509Q5BTMOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 40 V, 0.001 ohm, 10 V, 1.8 V
MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON / Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Mosfet, N Ch, 40V, 100A, Vson-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(On):0.001Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.8V; Power Rohs Compliant: Yes |TEXAS INSTRUMENTS CSD18509Q5BT
Alias del produttore
Texas Instruments ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Texas Instruments può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- TI
- TEXAS
- TEXAS INST
- TEXAS INSTR
- TEXAS INSTRUMENT
- TEXAS INSTRUMENTS INC
- TEXAS INS
- TEXAS INSTRU
- TEXAS INSTRUMEN
- TI/NS
- TEX
- Texas Instruments (TI)
- TEXASIN
- TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
- TEXINS
- TEXAS INTRUMENTS
- TEAXS
- TEXASI
- TEXAS INSTRUM
- TI Texas Instruments
- TEXAS USD
- TEXAS INSRUMENTS
- TEXAS INSRUMENT
- TEXAS INSTUMENTS
- TI-ROHS
- Texas Instr.
- Texas Instruments Inc.
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Specifiche tecniche
Physical
Contact PlatingGold
MountSurface Mount
Number of Pins8
Weight24.012046 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)38 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time11 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance13.9 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation195 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation195 W
Rds On Max1.2 mΩ
Rise Time19 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.8 V
Turn-Off Delay Time57 ns
Turn-On Delay Time9 ns
Dimensions
Height0 m
Length5 mm
Thickness950 µm
Width5 mm
Conformità
Classificazione ambientale
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità