Texas Instruments CSD16401Q5
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Price @ 1000
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$ 1.541
Stock
589,462
221,151
Authorized Distributors
4
3
Mount
Surface Mount
-
Case/Package
QFN
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
25 V
-
Continuous Drain Current (ID)
100 A
-
Threshold Voltage
1.5 V
-
Rds On Max
1.6 mΩ
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
16 V
-
Power Dissipation
3.1 W
-
Input Capacitance
4.1 nF
-
Supply Chain
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 6 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
Risorse di progettazione
Visualizza i kit di valutazione e i progetti di riferimento per Texas Instruments CSD16401Q5.
Progetti di riferimento
Parti correlate
InfineonIRFH8318TRPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PG-TDSON-8, RoHS
InfineonIRFH4226TRPBF
25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQFN 5 x 6 B package, PG-TDSON-8, RoHS
Descrizioni
Descrizioni di Texas Instruments CSD16401Q5 fornite dai suoi distributori.
25-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 2.3 mOhm 8-VSON-CLIP -55 to 150
the nexfet power mosfet has been designed to minimize losses in power conversion applications.
Fet, N Ch, Single, 25V, 8Son; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(On):0.0013Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:1.5V; Power Rohs Compliant: Yes |TEXAS INSTRUMENTS CSD16401Q5
Alias del produttore
Texas Instruments ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Texas Instruments può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- TI
- TEXAS
- TEXAS INST
- TEXAS INSTR
- TEXAS INSTRUMENT
- TEXAS INSTRUMENTS INC
- TEXAS INS
- TEXAS INSTRU
- TEXAS INSTRUMEN
- TI/NS
- TEX
- Texas Instruments (TI)
- TEXASIN
- TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
- TEXINS
- TEXAS INTRUMENTS
- TEAXS
- TEXASI
- TEXAS INSTRUM
- TI Texas Instruments
- TEXAS USD
- TEXAS INSRUMENTS
- TEXAS INSRUMENT
- TEXAS INSTUMENTS
- TI-ROHS
- Texas Instr.
- Texas Instruments Inc.
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageQFN
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Technical
Continuous Drain Current (ID)100 A
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Dual Supply Voltage25 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time12.7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance4.1 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3.1 W
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.5 V
Number of Elements1
Power Dissipation3.1 W
Rds On Max1.6 mΩ
Rise Time30 ns
Schedule B8541290080
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage1.5 V
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time16.6 ns
Dimensions
Height1.05 mm
Length5 mm
Thickness1 mm
Width6 mm
Conformità
Classificazione ambientale
Lead FreeContains Lead
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità