Texas Instruments CSD13383F4
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Modelli CAD
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
 EE Concierge | SimboloImpronta | ||
 SnapEDA | Impronta | 3D | Scarica |
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Supply Chain
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 day ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Risorse di progettazione
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Kit di valutazione
Progetti di riferimento
Parti correlate
InfineonIRFH8334TRPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PQFN 5X6 8L, RoHS
InfineonIRFH8324TR2PBF
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 30V, 23A, PQFN-8; Transistor Polarity:N Channel; Cont
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MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN "N-Channel 30 V 8.8A (Ta), 19A (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-6"
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MOSFET P-CH 30V 11A 3X3 PQFN "P-Channel 30 V 11A (Ta), 24A (Tc) Surface Mount PQFN (3x3)"
Descrizioni
Descrizioni di Texas Instruments CSD13383F4 fornite dai suoi distributori.
MOSFET N-CH 12V 2.9A 3PICOSTAR N-Channel 12 V 2.9A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 3-PICOSTAR
12-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 1 mm x 0.6mm, 44 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150
Trans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PICOSTAR T/R
N-Ch MOSFET 10V 1.25V@250µA 2.6nC@4.5V 12V 44mΩ@500mA,4.5V 2.9A 291pF@6V PICOSTAR-3 SMD 1mm × 640μm × 350μm
MOSFET N-CH 12V 2.9A 3PICOSTAR
CSD13383F4 12V, N CHANNEL NEXFET
Alias del produttore
Texas Instruments ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Texas Instruments può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- TI
- TEXAS
- TEXAS INST
- TEXAS INSTR
- TEXAS INSTRUMENT
- TEXAS INSTRUMENTS INC
- TEXAS INS
- TEXAS INSTRU
- TEXAS INSTRUMEN
- TI/NS
- TEX
- Texas Instruments (TI)
- TEXASIN
- TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
- TEXINS
- TEXAS INTRUMENTS
- TEAXS
- TEXASI
- TI Texas Instruments
- TEXAS INSTRUM
- TEXAS USD
- TEXAS INSRUMENTS
- TEXAS INSRUMENT
- TEXAS INSTUMENTS
- TI-ROHS
- Texas Instr.
- Texas Instruments Inc.
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +2.97%
Modelli CAD
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageQFN
MountSurface Mount
Number of Pins3
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.9 A
Drain to Source Breakdown Voltage12 V
Drain to Source Resistance53 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)12 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time315 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)10 V
Input Capacitance291 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation500 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
PackagingCut Tape (CT)
Rds On Max44 mΩ
Rise Time123 ns
Schedule B8541210040
Turn-Off Delay Time96 ns
Turn-On Delay Time39 ns
Dimensions
Height350 µm
Length1.035 mm
Width635 µm
Schede tecniche e documenti
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