STMicroelectronics STY60NM60
$ 14.259
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per STMicroelectronics STY60NM60.
Modelli CAD
Scarica il simbolo STMicroelectronics STY60NM60, l'impronta e i modelli STEP 3D dai nostri partner di fiducia.
| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
Il sito del partner si aprirà in una nuova scheda quando si scaricano i modelli CAD
Scaricando i modelli CAD da Octopart, accetti i nostri Termini e condizioni e l'Informativa sulla privacy.
Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Parti correlate
STMicroelectronicsSTW72N60DM2AG
N-Channel 600 V 42 mOhm Flange Mount MDmesh DM2 Power Mosfet - TO-247
onsemiFCH041N65F-F155
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, FRFET®, 650 V, 76 A, 41 mΩ, TO-247
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STY60NM60 fornite dai suoi distributori.
N-CHANNEL 600V - 0.050 Ohm - 60A Max247 Zener-Protected MDmesh(TM)Power MOSFET
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 30 A, 0.05 ohm, MAX-247, Through Hole
Trans MOSFET N-CH 600V 60A 3-Pin (3+Tab) Max247 Tube
Power MOSFET Transistors N-Ch 600 Volt 60 Amp
MOSFET N-Channel 600V 60A Max247
60 A 600 V 0.055 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET
560W(Tc) 30V 5V@ 250¦ÌA 266nC@ 10 V 1N 600V 55m¦¸@ 30A,10V 60A 7.3nF@25V MAX-247-3 15.9mm*5.3mm*20.3mm
Power MOSFETs, 600V, 60A, Max247, Tube
STMicroelectronics SCT
MOSFET, N CH, 600V, 60A, MAX247; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:30A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):50mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:30V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:560W; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:MAX-247; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:60A; Package / Case:Max-247; Power Dissipation Pd:560W; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:600V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)60 A
Current Rating60 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance55 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time76 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance7.3 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation600 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
Power Dissipation560 W
Rds On Max55 mΩ
Rise Time95 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time55 ns
Turn-On Delay Time55 ns
Voltage Rating (DC)600 V
Dimensions
Height20.3 mm
Length5.9 mm
Width5.3 mm
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per STMicroelectronics STY60NM60.
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant