STMicroelectronics STW62NM60N
$ 20.21
Obsolete
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Distributore
SKU
Min
Pkg
Prezzi all'ingrosso
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -100%
Modelli CAD
0 models available
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per STMicroelectronics STW62NM60N.
Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-07-14
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2018-06-29
LTD Date2018-12-29
Parti correlate
STMicroelectronicsSTW55NM60ND
Mosfet Transistor, N Channel, 51 A, 600 V, 0.047 Ohm, 10 V, 4 V Rohs Compliant: Yes
STMicroelectronicsSTW70N60M2
N-channel 600 V, 0.031 Ohm typ., 68 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package
STMicroelectronicsSTW60NM50N
N-channel 500 V, 0.035 Ohm typ., 68 A, MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-247 package
InfineonIPW60R041P6FKSA1
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 77.5 A, 0.037 ohm, TO-247, Through Hole
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STW62NM60N fornite dai suoi distributori.
N-channel 600 V, 0.04 Ohm typ., 65 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in a TO-247 package
STW62NM60N N-channel MOSFET Transistor, 65 A, 600 V, 3-Pin TO-247
450W(Tc) 25V 4V@ 250¦ÌA 174nC@ 10 V 1N 600V 49m¦¸@ 32.5A,10V 65A 5.8nF@100V TO-247-3 20.15mm
Trans MOSFET N-CH 600V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
MOSFET N-Ch 600V 0.049 Ohm 55A MDmesh II FET
Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 600V, 0.048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -100%
Modelli CAD
0 models available
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)55 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance48 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time210 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance5.8 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation450 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation350 W
Rds On Max49 mΩ
Rise Time35 ns
Turn-Off Delay Time65 ns
Turn-On Delay Time30 ns
Dimensions
Height20.15 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per STMicroelectronics STW62NM60N.
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant