STMicroelectronics STW62N65M5
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Tendenza a 3 mesi: -0.18%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-06-19
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Parti correlate
STMicroelectronicsSTW69N65M5
N-channel 650 V, 0.037 Ohm typ., 58 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-247 package
STMicroelectronicsSTW60N65M5
N-channel 650 V, 0.049 Ohm, 46 A MDmesh(TM) V Power MOSFET in TO-247
STMicroelectronicsSTW55NM60ND
Mosfet Transistor, N Channel, 51 A, 600 V, 0.047 Ohm, 10 V, 4 V Rohs Compliant: Yes
InfineonIPW65R045C7FKSA1
MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3 N-Channel 650 V 46A (Tc) 227W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
InfineonIPW60R040C7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 50A TO247-3 N-Channel 600 V 50A (Tc) 227W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STW62N65M5 fornite dai suoi distributori.
Trans MOSFET N-CH Si 650V 46A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
STW62N65M5 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 46 A, 710 V, 3-PIN TO-247
Automotive-grade N-channel 650 V, 0.041 Ohm typ., 46 A MDmesh M5 Power MOSFET in a TO-247 package
MOSFET, N-CH, AUTO, 650V, 46A, TO-247; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 46A; Drain Source Voltage Vds: 650V; On Resistance Rds(on): 0.041ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -0.18%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)46 A
Drain to Source Breakdown Voltage710 V
Drain to Source Resistance49 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time14 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance6.42 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation330 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation330 W
Rds On Max49 mΩ
Rise Time11 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time8 ns
Turn-On Delay Time101 ns
Dimensions
Height20.15 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant