STMicroelectronics STW45NM50
$ 7.007
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -0.23%
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0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Parti correlate
STMicroelectronicsSTW42N65M5
N-channel 650 V, 0.070 Ohm typ., 33 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-247 package
STMicroelectronicsSTW43NM60ND
N-channel 600 V, 0.075 Ohm, 35 A, TO-247 FDmesh(TM) Power MOSFET (with fast diode)
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STW45NM50 fornite dai suoi distributori.
N-channel 500 V, 0.08 Ohm ty., 45 A MDmesh Power MOSFET in a TO-247 package
STW45NM50 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 45 A, 500 V, 3-PIN TO-247
N-Channel 500 V 0.1 O 87 nC Flange Mount MDmesh Power Mosfet - TO-247
Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 500V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC
MOSFET, N CH, 550V, 45A, TO-247; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 45A; Drain Source Voltage Vds: 550V; On Resistance Rds(on): 0.1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -0.23%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight9.071847 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)45 A
Current Rating45 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance100 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time87.7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance3.7 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation417 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation390 W
Rds On Max100 mΩ
Resistance100 mΩ
Rise Time107.5 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time21.6 ns
Turn-On Delay Time29.1 ns
Voltage Rating (DC)500 V
Dimensions
Height24.45 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant