STMicroelectronics STW34NM60ND
$ 5.381
EOL
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +61.76%
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-04-18
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2026-09-10
LTD Date2027-03-10
Parti correlate
STMicroelectronicsSTW42N65M5
N-channel 650 V, 0.070 Ohm typ., 33 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-247 package
STMicroelectronicsSTW43NM60ND
N-channel 600 V, 0.075 Ohm, 35 A, TO-247 FDmesh(TM) Power MOSFET (with fast diode)
STMicroelectronicsSTW43N60DM2
N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package
onsemiFCH125N60E
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, Easy Drive, 600 V, 29 A, 125 mΩ, TO-247
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STW34NM60ND fornite dai suoi distributori.
N-channel 600 V, 0.097 Ohm, 29 A FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) TO-247
STW34NM60ND N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 29 A, 600 V, 3-PIN TO-247
Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
29 A 600 V 0.11 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-247
MOSFET N-Ch 600V 0.097 Ohm 29A FDmesh II FD
STMicroelectronics NMOS FDmesh, Vds=600 V, 29 A, TO-247, , 3
MOSFET, N CH, 600V, 29A, TO 247; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:29A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.097ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:190W; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012)
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +61.76%
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-247
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)29 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance110 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time61.8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance2.785 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation210 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation190 W
Rds On Max110 mΩ
Resistance110 MΩ
Rise Time53.4 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time111 ns
Turn-On Delay Time30 ns
Dimensions
Height20.15 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant