STMicroelectronics STW23N85K5
$ 3.322
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | STW23N85K5 | 3000 | 600 | |||||||||
| Arrow Electronics | STW23N85K5 | 50 | 1 | |||||||||
| TME | STW23N85K5 | 0 | 1 | 12h | ||||||||
| Avnet | STW23N85K5 | 0 | 600 | 4d | ||||||||
| Future Electronics | STW23N85K5 | 0 | 30 | Tube |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
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Parti correlate
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Mosfet, N-Ch, 950V, 17.5A, To-247Ll Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STWA20N95K5
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STW23N85K5 fornite dai suoi distributori.
N-channel 850 V, 0.2 Ohm typ., 19 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CH 850V 19A TO247 / N-Channel 850 V 19A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247-3
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Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Weight38.000013 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)19 A
Drain to Source Breakdown Voltage850 V
Drain to Source Resistance275 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)850 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.65 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation250 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max275 mΩ
Rise Time14 ns
Turn-Off Delay Time55 ns
Turn-On Delay Time22 ns
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant