STMicroelectronics STW22N95K5
$ 3.759
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0 parti disponibili
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-12-21
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 months ago)
Parti correlate
STMicroelectronicsSTW23N85K5
N-channel 850 V, 0.2 Ohm typ., 19 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
STMicroelectronicsSTWA20N95K5
Mosfet, N-Ch, 950V, 17.5A, To-247Ll Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STWA20N95K5
STMicroelectronicsSTW25N80K5
N-channel 800 V, 0.19 Ohm typ., 19.5 A SuperMESH(TM) 5 Power MOSFET in TO-247 package
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STW22N95K5 fornite dai suoi distributori.
N-Channel 950 V 0.330 Ohm Flange Mount Power Mosfet - TO-247
Trans MOSFET N-CH 950V 17.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Automotive-grade N-channel 950 V, 0.280 Ohm typ., 17.5 A Zener-protected SuperMESH(TM) 5 Power MOSFET in TO-247 package
250W(Tc) 30V 5V@ 100¦ÌA 48nC@ 10 V 1N 950V 330m¦¸@ 9A,10V 17.5A 1.55nF@100V TO-247-3 24.45mm
Hv Mosfet Mdmesh |Stmicroelectronics STW22N95K5
Automotive Power Discrete, 950V, 17.5A, TO-247, Tube
STMicroelectronics SCT
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Weight38.000013 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)17.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage950 V
Drain to Source Resistance280 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)950 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.55 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation250 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Power Dissipation250 W
Rds On Max330 mΩ
Rise Time15 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time65 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Dimensions
Height24.45 mm
Schede tecniche e documenti
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