STMicroelectronics STW12NK80Z
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Tendenza a 3 mesi: +9.21%
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Parti correlate
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N-Channel 600 V, 0.48 Ohm, 13 A, TO-247 Zener-Protected SuperMesh(TM) POWER MOSFET
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N-channel 800 V, 0.78 Ohm, 9 A Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFETs in TO-247 package
STMicroelectronicsSTW10NK60Z
N-channel 600 V, 0.65 Ohm typ., 10 A Zener-protected SuperMESH Power MOSFET in TO-247 package
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STW12NK80Z fornite dai suoi distributori.
N-channel 800 V, 0.65 Ohm, 10.5 A Zener protected SuperMESH(TM) Power MOSFET in TO-247 package
Transistor MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin (3+Tab) TO-247 Tube
N-Channel 800 V 0.75 Ohm Flange Mount SuperMESH Power MOSFET - TO-247-3
STW12NK80Z N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 10.5 A, 800 V, 3-PIN TO-247
Power MOSFET, N Channel, 800 V, 10.5 A, 0.65 ohm, TO-247, Through Hole
Power Field-Effect Transistor, 10.5A I(D), 800V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC
MOSFET, N TO-247; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 10.5A; Drain Source Voltage Vds: 800V; On Resistance Rds(on): 0.65ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.75V; Power Dissipati
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +9.21%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight4.535924 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)10.5 A
Current Rating10.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage800 V
Drain to Source Resistance750 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance2.62 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation190 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation190 W
Rds On Max750 mΩ
Resistance750 mΩ
Rise Time18 ns
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time70 ns
Turn-On Delay Time30 ns
Voltage Rating (DC)800 V
Dimensions
Height20.15 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant