STMicroelectronics STU6N62K3
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0 parti disponibili
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-05-22
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Parti correlate
STMicroelectronicsSTD7NM80-1
N-channel 800 V, 0.95 Ohm, 6.5 A MDmesh(TM) Power MOSFET in IPAK package
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STU6N62K3 fornite dai suoi distributori.
N-channel 620 V, 0.95 Ohm, 5.5 A SuperMESH3(TM) Power MOSFET in IPAK
Trans MOSFET N-CH 620V 5.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
MOSFET N-Ch, 620V-1.1ohms 5.5A
90W(Tc) 30V 4.5V@ 50¦ÌA 30nC@ 10 V 1N 620V 1.2¦¸@ 2.8A,10V 5.5A 875pF@50V IPAK,TO-251 6.6mm*2.4mm*6.2mm
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 620V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251
Power MOSFETs, 620V, 5.5A, IPAK, Tube
STMicroelectronics SCT
Mosfet, N Ch, 620V, 5.5A, To-251; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:620V; Continuous Drain Current Id:5.5A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3.75V; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STU6N62K3
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-251
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage620 V
Drain to Source Resistance1.2 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)620 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time19 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance875 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation90 W
Min Breakdown Voltage620 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation90 W
Rds On Max1.2 Ω
Rise Time12.5 ns
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time49 ns
Turn-On Delay Time22 ns
Dimensions
Height6.9 mm
Length6.6 mm
Width2.4 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant