STMicroelectronics STP9N65M2
$ 0.753
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -0.18%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-07-16
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Parti correlate
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STP9N65M2 fornite dai suoi distributori.
N-channel 650 V, 0.79 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
MOSFET N-CH 650V 5A TO220 / N-Channel 650 V 5A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220
60W(Tc) 25V 4V@ 250¦ÌA 10nC@ 10 V 1N 650V 900m¦¸@ 2.5A,10V 5A 315pF@100V TO-220 9.15mm
Trans MOSFET N-CH 650V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 650V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N CHANNEL, 650V, 5A, TO-220-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 5A; Drain Source Voltage Vds: 650V; On Resistance Rds(on): 0.79ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V;
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -0.18%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight329.988449 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)5 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance900 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Fall Time18 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance315 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation60 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max900 mΩ
Rise Time6.6 ns
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time22.5 ns
Turn-On Delay Time7.5 ns
Schede tecniche e documenti
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