STMicroelectronics STP8NM50N
$ 1.03
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -2.14%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per STMicroelectronics STP8NM50N.
Modelli CAD
Scarica il simbolo STMicroelectronics STP8NM50N, l'impronta e i modelli STEP 3D dai nostri partner di fiducia.
| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
 SnapEDA | Impronta | 3D | Scarica |
Il sito del partner si aprirà in una nuova scheda quando si scaricano i modelli CAD
Scaricando i modelli CAD da Octopart, accetti i nostri Termini e condizioni e l'Informativa sulla privacy.
Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-09-03
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STP8NM50N fornite dai suoi distributori.
N-channel 500 V, 0.73 Ohm, 5 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-220
N-Channel 550 V 0.79 Ohm Flange Mount MDmesh II Power MosFet - TO-220
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
500 V, 5 A, 0.73 OHM N-CHANNEL MDMESHII POWER MOSFET IN TO-220 Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 0.79ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Mosfet, N Ch, 500V, 5A, To-220; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:500V; Continuous Drain Current Id:5A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3V; Product Range:- Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STP8NM50N
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -2.14%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)5 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance790 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Fall Time8.8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance364 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation45 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation45 W
Rds On Max790 mΩ
Resistance790 mΩ
Rise Time4.4 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time25 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Dimensions
Height16.4 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per STMicroelectronics STP8NM50N.
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant