STMicroelectronics STP7NK40Z
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Tendenza a 3 mesi: +3.27%
Modelli CAD
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0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 months ago)
Parti correlate
STMicroelectronicsSTP12NK30Z
N-CHANNEL 300V 0.36 OHM 9A TO-220 ZENER-PROTECTED SUPER-MESH POWER MOSFET
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STP7NK40Z fornite dai suoi distributori.
N-Channel 400V - 0.85 Ohm - 5.4A TO-220 Zener-Protected SuperMESH(TM) POWER MOSFET
N-channel 400 V, 0.85 Ohm typ., 5.4 A SuperMESH POWER Mosfet in TO-220 package
Ciiva
Trans MOSFET N-CH 400V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Power MOSFET, N Channel, 400 V, 5.4 A, 1 ohm, TO-220, Through Hole
MOSFET N-Channel 400V 5.4A (Tc) 70W (Tc) Through Hole TO-220AB
STMicroelectronics STP7NK40Z MOSFET N-channel 70W TO-220
70W(Tc) 30V 4.5V@ 50µA 26nC@ 10 V 1individualNChannel 400V 1Ω@ 2.7A,10V 5.4A 535pF@25V TO-220 Through hole mounting 9.15mm(height)
MOSFET, N, TO-220; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 5.4A; Drain Source Voltage Vds: 400V; On Resistance Rds(on): 1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.75V; Power Dissipation
N Channel Mosfet, 400V, 5.4A To-220; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:5.4A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:400V; Resistencia De Activación Rds(On):1Ohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V; Power (Ptot):70W |Stmicroelectronics STP7NK40Z
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +3.27%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.4 A
Current Rating5.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage400 V
Drain to Source Resistance1 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)400 V
Dual Supply Voltage400 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time12 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance535 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation70 W
Min Breakdown Voltage400 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation70 W
Rds On Max1 Ω
Resistance1 Ω
Reverse Recovery Time220 ns
Rise Time15 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Voltage Rating (DC)400 V
Dimensions
Lead Pitch2.54 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant