STMicroelectronics STP7NK40ZFP
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2021-01-10
LTD Date2021-07-10
Parti correlate
VishaySIHF6N40D-E3
MOSFET, N-CH, 400V, 6A, TO-220FP; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drai
STMicroelectronicsSTP5NK50ZFP
N-channel 500 V, 1.22 Ohm typ., 4.4 A SuperMESH Power MOSFET in TO-220FP package
onsemiFQPF6N40CT
MOSFET N-CH 400V 6A TO-220F / Trans MOSFET N-CH 400V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220F T/R
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STP7NK40ZFP fornite dai suoi distributori.
N-Channel 400 V 1 Ohm Flange Mount SuperMESH Power Mosfet - TO-220FP
STP7NK40ZFP N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 5.4 A, 400 V, 3-PIN TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 400V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
N-CHANNEL 400V-0.85 OHM-5.4A TO-220FP ZENER-PROTECTED SUPERMESH POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N, TO-220FP; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 5.4A; Drain Source Voltage Vds: 400V; On Resistance Rds(on): 1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.75V; Power Dissipatio
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage400 V
Drain to Source Resistance1 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)400 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time12 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance535 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Breakdown Voltage400 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation25 W
Rds On Max1 Ω
Rise Time15 ns
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height16.4 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant