STMicroelectronics STP9NK50Z
$ 1.16
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -7.49%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Parti correlate
STMicroelectronicsSTP10N62K3
N-channel 620 V, 0.68 Ohm typ., 8.4 A SuperMESH3(TM) Power MOSFET in TO-220 package
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STP9NK50Z fornite dai suoi distributori.
N-Channel 500V - 0.72 Ohm - 7.2A TO-220 Zener-Protected SuperMESH™ Power MOSFET
STP9NK50Z N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 7.2 A, 500 V, 3-PIN TO-220
Trans MOSFET N-CH 500V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 7.2 A, 0.85 ohm, TO-220, Through Hole
500V 7.2A 110W 850m´Î@10V3.6A 4.5V@100Ã×A N Channel TO-220(TO-220-3) MOSFETs ROHS
MOSFET, N, TO-220; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 7.2A; Drain Source Voltage Vds: 500V; On Resistance Rds(on): 0.72ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.75V; Power Dissipati
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -7.49%
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.2 A
Current Rating7.2 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance850 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time22 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance910 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation110 W
Rds On Max850 mΩ
Resistance850 mΩ
Rise Time20 ns
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time45 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Voltage Rating (DC)500 V
Dimensions
Height9.15 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant