STMicroelectronics STP40NF20
$ 1.462
Production
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -2.64%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-01-26
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Parti correlate
InfineonIPP200N15N3GXKSA1
MOSFET N-CH 150V 50A TO220-3 N-Channel 150 V 50A (Tc) 150W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
InfineonIPP320N20N3GXKSA1
MOSFET N-CH 200V 34A TO220-3 N-Channel 200 V 34A (Tc) 136W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
InfineonBUZ30AHXKSA1
MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3 N-Channel 200 V 21A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STP40NF20 fornite dai suoi distributori.
N-Channel 200 V 0.045 Ohm Flange Mount STripFET Power MosFet - TO-220
STP40NF20 N-channel MOSFET Transistor, 40 A, 200 V, 3-Pin TO-220
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 20 A, 0.038 ohm, TO-220, Through Hole
Trans MOSFET N-CH 200V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
N-channel 200V - 0.038Ohm -40A- D2PAK/TO-220/TO-220FP/TO-247
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 200V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
160W(Tc) 20V 4V@ 250µA 75nC@ 10 V 1individualNChannel 200V 45mΩ@ 20A,10V 40A 2.5nF@25V TO-220 Through hole mounting 9.15mm(height)
MOSFET, N CH, 200V, 40A, TO-220; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 20A; Drain Source Voltage Vds: 200V; On Resistance Rds(on): 0.038ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Powe
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -2.64%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)40 A
Current Rating40 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance45 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time22 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.5 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation160 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation160 W
Rds On Max45 mΩ
Resistance45 mΩ
Rise Time44 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time74 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Voltage Rating (DC)200 V
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant