STMicroelectronics STP2NK100Z
$ 1.305
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | STP2NK100Z | 786 | 786 | |||||||||
| Arrow Electronics | STP2NK100Z | 786 | 1K | |||||||||
| TME | STP2NK100Z | 94 | 1 | 11h | ||||||||
| DigiKey | 497-STP2NK100Z-ND | 868 | 1 | Tube | ||||||||
| Future Electronics | STP2NK100Z | 0 | 50 | Tube |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +56.04%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
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Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STP2NK100Z fornite dai suoi distributori.
STP2NK100Z N-channel MOSFET Transistor, 1.85 A, 1000 V, 3-Pin TO-220
N-channel 1000 V, 6.25 Ohm typ., 1.85 A, Zener-protected SuperMESH Power MOSFET in TO-220 package
Power MOSFET, N Channel, 1 kV, 1.85 A, 6.25 ohm, TO-220, Through Hole
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Power Field-Effect Transistor, 1.85A I(D), 1000V, 8.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N CH, 1000V, 1.85A, TO 220; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 1.85A; Drain Source Voltage Vds: 1kV; On Resistance Rds(on): 6.25ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.75V
N Ch Power Mosfet, Supermesh, 1000V, 1.85A, To-220; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:1.85A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:1Kv; Resistencia De Activación Rds(On):6.25Ohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V |Stmicroelectronics STP2NK100Z
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +56.04%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-220
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.85 A
Drain to Source Breakdown Voltage1 kV
Drain to Source Resistance8.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)1 kV
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance499 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation70 W
Min Breakdown Voltage1 kV
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation70 W
Rds On Max8.5 Ω
Resistance8.5 Ω
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time41.5 ns
Turn-On Delay Time7.2 ns
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant