STMicroelectronics STP23NM50N
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -38.83%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-12-14
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Parti correlate
STMicroelectronicsSTP19NM50N
N-channel 500 V, 0.2 Ohm, 14 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-220
STMicroelectronicsSTP24NM60N
N-channel 600 V, 0.168 Ohm, 17 A MDmesh(TM) II Power MOSFET TO-220
STMicroelectronicsSTP22NM60N
N-channel 600 V, 0.2 Ohm, 16 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-220
onsemiFCP190N60E
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, Easy Drive, 600 V, 20.6 A, 190 mΩ, TO-220
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STP23NM50N fornite dai suoi distributori.
Trans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube / MOSFET N-CH 500V 17A TO-220
N-channel 500 V, 0.162 Ohm, 17 A, TO-220 MDmesh(TM) II Power MOSFET
N-Channel 550 V 0.19 Ohm Flange Mount Mdmesh II Power MosFet - TO-220
125W(Tc) 25V 4V@ 250¦ÌA 45nC@ 10 V 1N 500V 190m¦¸@ 8.5A,10V 17A 1.33nF@50V TO-220 9.15mm
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 500V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N CH, 500V, 17A, TO 220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:17A; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(on):0.162ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:125W; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012)
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -38.83%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)17 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance190 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time29 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.33 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation125 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3 V
Number of Elements1
Power Dissipation125 W
Rds On Max190 mΩ
Resistance190 mΩ
Rise Time19 ns
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time71 ns
Turn-On Delay Time6.6 ns
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant