STMicroelectronics STP11NM60FD
$ 2.392
Production
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Tendenza a 3 mesi: +12.78%
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0 parti disponibili
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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N-Channel 500 V 340 mOhm Flange Mount SuperMESH Power Mosfet - TO-220
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N-Channel 600 V, 0.48 Ohm, 13 A TO-220 Zener-Protected SuperMesh(TM) POWER MOSFET
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STP11NM60FD fornite dai suoi distributori.
Transistor MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin (3+Tab) TO-220 Tube
N-Channel 600V - 0.4Ohm - 11A FDmesh(TM) POWER MOSFET (with FAST DIODE)
N-Channel 600 V 0.45 Ohm Flange Mount MDmesh Power MosFet - TO-220
N-channel 600 V, 0.38 Ohm typ., 11 A MDmesh Power MOSFET in TO-220 package
Ciiva
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 11 A, 0.45 ohm, TO-220AB, Through Hole
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Mosfet, N-Ch, 600V, 11A, To-220Ab; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:600V; Continuous Drain Current Id:11A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STP11NM60FD
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +12.78%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)11 A
Current Rating11 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance450 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance900 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation160 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
Power Dissipation160 W
Rds On Max450 mΩ
Resistance450 mΩ
Rise Time16 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Voltage Rating (DC)600 V
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant