STMicroelectronics STP11N65M2
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Tendenza a 3 mesi: -100%
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-05-16
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 6 months ago)
Parti correlate
STMicroelectronicsSTF11N65M2
N-channel 650 V, 0.6 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
STMicroelectronicsSTF11NM50N
N-channel 500 V, 0.40 Ohm typ., 8.5 A MDmesh II Power MOSFET in a TO-220FP package
STMicroelectronicsSTF10NM50N
N-channel 500 V, 0.53 Ohm, 7 A TO-220FP MDmesh(TM) II Power MOSFET
VishaySIHF8N50D-E3
MOSFET, N-CH, 500V, 8.7A, TO-220FP; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Dr
VishaySIHF5N50D-E3
MOSFET, N-CH, 500V, 5.3A, TO-220FP; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Dr
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STP11N65M2 fornite dai suoi distributori.
N-channel 650 V, 0.6 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Extremely low gate charge | MOSFET N-CH 650V 7A TO-220AB
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 650V, 0.68ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
85W(Tc) 25V 4V@ 250¦ÌA 12.5nC@ 10 V 1individualNChannel 650V 670m¦¸@ 3.5A,10V 7A 410pF@100V TO-220 Through hole mounting 9.15mm(height)
MOSFET, N CHANNEL, 650V, 7A, TO-220-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 7A; Drain Source Voltage Vds: 650V; On Resistance Rds(on): 0.6ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; P
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -100%
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight329.988449 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)7 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance680 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance410 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation85 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max670 mΩ
Rise Time7.5 ns
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time26 ns
Turn-On Delay Time9.5 ns