STMicroelectronics STL26NM60N
$ 2.56
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Arrow Electronics | STL26NM60N | 3000 | 3K | |||||||||
| Verical | STL26NM60N | 3000 | 3K | |||||||||
| Future Electronics | STL26NM60N | 3000 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| DigiKey | 497-STL26NM60NCT-ND | 2239 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | STL26NM60N | 0 | 1 | 2h |
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Parti correlate
STMicroelectronicsSTL24NM60N
N-channel 600 V, 0.200 Ohm typ., 16 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in PowerFLAT(TM) 8x8 HV package
STMicroelectronicsSTB26NM60N
N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 20 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in D2PAK package
STMicroelectronicsSTB21NM60ND
N-channel 600 V, 0.17 Ohm typ., 17 A, FDmesh(TM) II Power MOSFET (whit fast diode) in D2PAK package
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STL26NM60N fornite dai suoi distributori.
N-channel 600 V, 0.160 Ohm typ., 19 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in PowerFLAT(TM) 8x8 HV package
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 19 A, 0.16 ohm, PowerFLAT, Surface Mount
125mW(Ta),3W(Tc) 30V 5V@ 250¦ÌA 60nC@ 10 V 1N 600V 185m¦¸@ 10A,10V 2.7A,19A 1.8nF@50V SMD
Trans MOSFET N-CH Si 600V 19A 4-Pin Power Flat EP T/R
Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 600V, 0.185ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CH 600V 19A POWERFLAT
600V 19A 160m´Î@10V10A 125W 4V@250uA 6pF@50V N Channel 1.8nF@50V 60nC@10V -55¡Í~+150¡Í@(Tj) SMD MOSFETs ROHS
MOSFET, N CH, 600V, 19A, POWERFLAT; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:19A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.16ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:125W; Transistor Case Style:PowerFLAT; No. of Pins:5; MSL:MSL 3 - 168 hours; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012)
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Specifiche tecniche
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins5
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance185 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Fall Time50 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.8 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation125 mW
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingDigi-Reel®
Power Dissipation3 W
Rds On Max185 mΩ
Resistance185 MΩ
Rise Time25 ns
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time85 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant