STMicroelectronics STH410N4F7-6AG
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-02-17
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2026-09-14
LTD Date2027-03-14
Parti correlate
InfineonIRLS3034TRL7PP
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK7 / Trans MOSFET N-CH Si 40V 380A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
STMicroelectronicsSTH320N4F6-6
In a Pack of 5, N-Channel MOSFET, 200 A, 40 V, 8-Pin H2PAK STMicroelectronics STH320N4F6-6
VishaySQM200N04-1M1L-GE3
SQM200N04-1M1L-GE3 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 200 A, 40 V, 7-PIN TO-263
STMicroelectronicsSTH270N4F3-6
STH270N4F3-6 N-channel MOSFET Transistor, 180 A, 40 V, 8-Pin H2PAK
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STH410N4F7-6AG fornite dai suoi distributori.
Automotive-grade N-channel Power MOSFET 40 V, 0.8 mOhm typ, 200 A STripFET F7 in an H2PAK-6 package
MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-6 / N-Channel 40 V 200A (Tc) 365W (Tc) Surface Mount H2PAK-6
STMICROELECTRONICS STH410N4F7-6AG MOSFET Transistor, N Channel, 200 A, 40 V, 0.0008 ohm, 10 V, 4.5 V
Trans MOSFET N-CH 40V 200A Automotive 7-Pin(6+Tab) H2PAK T/R
MOSFET, N-CH, 40V, 200A, H2PAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 200A; Drain Source Voltage Vds: 40V; On Resistance Rds(on): 800µohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4.5V; Power Dissipation Pd: 365W; Transistor Case Style: H2PAK-6; No. of Pins: 7Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: AEC-Q101; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-263-7
MountSurface Mount
Number of Pins7
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)200 A
Drain to Source Resistance1.1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Input Capacitance11.5 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation365 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation365 W
Rds On Max1.1 mΩ
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4.5 V
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant