STMicroelectronics STH320N4F6-6
$ 1.835
Production
Prezzo e stock
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Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -0.25%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per STMicroelectronics STH320N4F6-6.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-02-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 months ago)
Parti correlate
InfineonIRFS7434TRL7PP
40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 7-Pin D2-Pak package, D2PAK7P, RoHS
InfineonIRLS3034TRL7PP
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK7 / Trans MOSFET N-CH Si 40V 380A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
VishaySQM200N04-1M1L-GE3
SQM200N04-1M1L-GE3 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 200 A, 40 V, 7-PIN TO-263
STMicroelectronicsSTH410N4F7-6AG
Automotive-grade N-channel Power MOSFET 40 V, 0.8 mOhm typ, 200 A STripFET F7 in an H2PAK-6 package
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STH320N4F6-6 fornite dai suoi distributori.
In a Pack of 5, N-Channel MOSFET, 200 A, 40 V, 8-Pin H2PAK STMicroelectronics STH320N4F6-6
Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
N-channel 40 V, 1.1 mOhm typ., 200 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET in H2PAK-6 package
300W(Tc) 20V 4V@ 250µA 240nC@ 10 V 1individualNChannel 40V 1.3mΩ@ 80A,10V 200A 13.8nF@15V H2PAK-6 SMD mount 4.8mm(height)
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -0.25%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-263-7
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)200 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance1.3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time95 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance13.8 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation340 W
Rds On Max1.3 mΩ
Rise Time98 ns
Turn-Off Delay Time190 ns
Turn-On Delay Time28 ns
Dimensions
Height4.8 mm
Length15.25 mm
Width10.4 mm
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per STMicroelectronics STH320N4F6-6.
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant