STMicroelectronics STH275N8F7-2AG
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Modelli CAD
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-03-05
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 months ago)
Parti correlate
STMicroelectronicsSTH270N8F7-2
N-channel 80 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package
InfineonIRFS7730TRLPBF
Infineon N-Channel MOSFET HEXFET, Vds=75V, Id=246A, D2PAK (TO-263), SMD, 3-Pin
STMicroelectronicsSTH265N6F6-2AG
MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-2 / N-Channel 60 V 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount H2Pak-2
STMicroelectronicsSTH260N6F6-2
N-channel 60 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F6 Power MOSFET in H2PAK-2 package
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STH275N8F7-2AG fornite dai suoi distributori.
Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Automotive-grade N-channel 80 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package
Trans MOSFET N-CH 80V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Automotive Power Discrete, 80V, 180A, H2PAK-2, Tape and Reel
STMicroelectronics SCT
315W(Tc) 20V 4.5V@ 250µA 193nC@ 10 V 1individualNChannel 80V 2.1mΩ@ 90A,10V 180A 13.6nF@50V H2PAK-2 SMD mount
H2PAK MOSFET 80V 0.0021OHM AUT
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)180 A
Drain to Source Resistance1.1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Input Capacitance13.6 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation315 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation315 W
Rds On Max2.1 mΩ
Schede tecniche e documenti
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