STMicroelectronics STGW39NC60VD
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Production
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -100%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
 SnapEDA | Impronta | 3D | Scarica |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-12-05
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 6 months ago)
Parti correlate
onsemiFGH40N60UFDTU
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube / IGBT 600V 80A 290W TO247
STMicroelectronicsSTGW30NC60WD
Transistor IGBT Chip N-Channel 600 Volt 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247
STMicroelectronicsSTGW50H60DF
Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 360000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
STMicroelectronicsSTGW30V60DF
Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STGW39NC60VD fornite dai suoi distributori.
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
STGW Series Ultra Fast Free Wheeling Diode Through Hole IGBT - TO-247-3
IGBT, TO-247; DC Collector Current: 80A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 2.5V; Power Dissipation Pd: 250W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600V; Transistor Case Style: TO-247; No. of Pins: 3Pins; Operating Te
Igbt, To-247; Corriente De Colector Dc:80A; Tensión De Saturación Colector-Emisor Vce(On):2.5V; Disipación De Potencia Pd:250W; Tensión Colector Emisor V(Br)Ceo:600V; Núm. De Contactos:3; Temperatura De Trabajo Máx.:150°C |Stmicroelectronics STGW39NC60VD
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -100%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-247
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Breakdown Voltage (VCES)600 V
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.7 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Continuous Drain Current (ID)40 A
Current Rating40 A
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Forward Current30 A
Forward Voltage2.4 V
Max Collector Current70 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation250 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation250 W
Reverse Recovery Time45 ns
Rise Time13 ns
Turn-Off Delay Time178 ns
Turn-On Delay Time33 ns
Voltage Rating (DC)600 V
Dimensions
Height20.15 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant