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STMicroelectronics STGW35NB60SD

Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
$ 3.53
Obsolete
Scheda dati
Pagina del produttore

Prezzo e stock

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Distributore
SKU
Min
Pkg
Prezzi all'ingrosso
Mouser
511-STGW35NB60SD
462
1
Tube
USD
7,390
4,940
3,970
3,530
3,160
Microchip USA
STGW35NB60SD
219
600
Tray
USD
2,184
2,184
6d
Win Source
WS-STGW35NB60SD
1200
9
USD
6,491
4,327
4,327
4,327
4h
Worldway Electronics
STGW35NB60SD
25.547
7
Tube
USD
2,040
2,002
1,925
1,886
3h
Utmel Electronic
2381-STGW35NB60SD
30
Tube
USD
5,153
4,862
4,587
4,082
4,082
13h

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per STMicroelectronics STGW35NB60SD.

STMicroelectronics

Datasheet13 pagine20 anni fa

TME

Farnell

Cronologia dell'inventario

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Supply Chain

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-11-21
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2022-09-11
LTD Date2023-03-11

Parti correlate

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Dettagli

Descrizioni

Descrizioni di STMicroelectronics STGW35NB60SD fornite dai suoi distributori.

Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Verical
STGW35 Series 600 V 70 A Through Hole N-Channel Silicon IGBT - TO-247-3
Future Electronics
STGW35NB60SD, IGBT Transistor, 75 A 600 V, 1MHz, 3-Pin TO-247
RS (Formerly Allied Electronics)
Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AA
IHS
STMICROELECTRONICS STGW35NB60SD IGBT Single Transistor, 70 A, 1.7 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
Fly-Wing Technology
N-CHANNEL 35A - 600V - TO-247 Low Drop PowerMESH TM IGBT
Win Source
IGBTs Insulated Gate Bipolar Transistor N Ch 35A 600V
Mouser
Igbt |Stmicroelectronics STGW35NB60SD
Newark
70 A 600 V N-CHANNEL IGBT TO-247AA
Component Stockers USA
N-CHANNEL 35A - 600V IGBTTO 247<AZ
Jameco
IGBT, TO-247; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:70A; Collector Emitter Voltage Vces:1.7V; Power Dissipation Pd:200W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Ic Continuous a Max:70A; Package / Case:TO-247; Power Dissipation Max:200W; Power Dissipation Pd:200W; Power Dissipation Pd:200W; Pulsed Current Icm:250A; Rise Time:70ns; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:600V
element14 APAC

Immagini

Newark
element14 APAC
TME
Lanka Micro
RS (Formerly Allied Electronics)

Alias del produttore

STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • STGW35NB60SD.