STMicroelectronics STGD3HF60HDT4
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -74.85%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-06-30
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 8 months ago)
Parti correlate
onsemiNGTB03N60R2DT4G
ON SEMICONDUCTOR NGTB03N60R2DT4G IGBT Single Transistor, 9 A, 1.7 V, 49 W, 600 V, TO-252, 3 Pins
STMicroelectronicsSTGD8NC60KDT4
STGD8NC60KD Series 600 V 8 A Surface Mount Short Circuit Rugged IGBT - TO-252
STMicroelectronicsSTGD10NC60KDT4
Igbt Single Transistor, 20 A, 2 V, 60 W, 600 V, To-252, 3 |Stmicroelectronics STGD10NC60KDT4
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STGD3HF60HDT4 fornite dai suoi distributori.
STGD3HF60HD Series 600 V 4.5 A, Very Fast IGBT with Ultrafast Diode - TO-252
Trans IGBT Chip N-CH 600V 7.5A 38W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Insulated Gate Bipolar Transistor, 13A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252
IGBT Transistors 4.5 A 600V IGBT 20V VGE 25A IFSM
IGBT, 600V, 30A, TO-247, STMicroelectronics
38W 7.5A 600V TO-252 IGBTs ROHS
38W 2.45V 600V 7.5A TO-252 SMD
IGBT, W DIODE, 600V, 7.5A, 38W, DPAK; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:7.5A; Collector Emitter Voltage Vces:600V; Power Dissipation Pd:38W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Power Dissipation Pd:38W
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -74.85%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.39037 mg
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.45 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Continuous Collector Current7.5 A
Element ConfigurationSingle
Max Breakdown Voltage600 V
Max Collector Current13 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation38 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingDigi-Reel®
Power Dissipation38 W
Reverse Recovery Time85 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time60 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Dimensions
Height2.63 mm
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per STMicroelectronics STGD3HF60HDT4.
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant