STMicroelectronics STGD10NC60KDT4
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Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STGD10NC60KDT4 fornite dai suoi distributori.
Igbt Single Transistor, 20 A, 2 V, 60 W, 600 V, To-252, 3 |Stmicroelectronics STGD10NC60KDT4
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 62000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
IGBT, D-PAK; DC Collector Current: 20A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 2V; Power Dissipation Pd: 60W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600V; Transistor Case Style: TO-252; No. of Pins: 3Pins; Operating Temper
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Tendenza a 3 mesi: -24.82%
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Element ConfigurationSingle
Max Breakdown Voltage600 V
Max Collector Current20 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation60 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingDigi-Reel®
Reverse Recovery Time22 ns
Rise Time6.5 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time72 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Dimensions
Height2.4 mm
Length6.6 mm
Width6.2 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant