STMicroelectronics STFH10N60M2
$ 0.645
Obsolete
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -0.22%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-08-18
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2025-09-29
LTD Date2026-03-29
Parti correlate
STMicroelectronicsSTF10N60M2
N-channel 600 V, 0.55 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
STMicroelectronicsSTP10N60M2
N-channel 600 V, 0.55 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
InfineonIPA60R460CEXKSA1
Single N-Channel 600 V 460 mOhm 28 nC CoolMOS Power Mosfet - TO-220-3FP, PG-TO220-3, RoHS
InfineonIPA60R650CEXKSA1
Single N-Channel 600 V 0.65 Ohm 20.5 nC CoolMOS Power Mosfet - TO-220-3FP, PG-TO220-3, RoHS
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STFH10N60M2 fornite dai suoi distributori.
N-channel 600 V, 0.55 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide creepage package
MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP / N-Channel 600 V 7.5A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FPAB
N-Channel 600 V 600 mOhm Flange Mount MDmesh Power Mosfet - TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
25W(Tc) 25V 4V@ 250¦ÌA 13.5nC@ 10 V 1N 600V 600m¦¸@ 9A,10V 7.5A 400pF@100V TO-220FPAB 11.1mm
Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Mosfet, N-Ch, 600V, 7.5A, To-220Fp-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:7.5A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(On):0.55Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STFH10N60M2
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -0.22%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.5 A
Drain to Source Resistance600 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Input Capacitance400 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max600 mΩ
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Schede tecniche e documenti
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