STMicroelectronics STF6N62K3
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Tendenza a 3 mesi: -2.34%
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0 parti disponibili
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-05-22
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Parti correlate
STMicroelectronicsSTP6NK60ZFP
N-channel 600 V - 1 Ohm - 6 A - TO-220 Zener-Protected SuperMESH(TM) Power MOSFET
STMicroelectronicsSTP9NK60ZFP
N-Channel 600 V 950 mOhm Flange Mount SuperMESH Power Mosfet - TO-220FP
STMicroelectronicsSTF7N52DK3
N-channel 525 V, 0.95 Ohm typ., 6 A SuperFREDmesh(TM) 3 Power MOSFET in TO-220FP package
VishaySIHF5N50D-E3
MOSFET, N-CH, 500V, 5.3A, TO-220FP; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Dr
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STF6N62K3 fornite dai suoi distributori.
N-channel 620 V, 0.95 Ohm, 5.5 A SuperMESH3(TM) Power MOSFET in TO-220FP package
Trans MOSFET N-CH 620V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
5.5 A 620 V 1.2 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-220AB
620 V, 5.5 A, 0.95 OHM IN TO-220FP N-CHANNEL SUPERMESH3 POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 620V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N CH, 620V, 5.5A, TO 220FP; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5.5A; Drain Source Voltage Vds:620V; On Resistance Rds(on):0.95ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3.75V; Power Dissipation Pd:30W; Transistor Case Style:TO-220FP; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012)
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -2.34%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage620 V
Drain to Source Resistance1.2 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)620 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time19 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance875 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Breakdown Voltage620 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation90 W
Rds On Max1.2 Ω
Rise Time12.5 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time49 ns
Turn-On Delay Time22 ns
Dimensions
Height16.4 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant