STMicroelectronics STF33N60M2
$ 1.666
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -14.31%
Modelli CAD
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0 parti disponibili
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
 SnapEDA | Impronta | 3D | Scarica |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-09-13
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Parti correlate
STMicroelectronicsSTP33N60M2
N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power MOSFETs in TO-220 package
VishaySIHF30N60E-GE3
E Series N Channel 600 V 0.125 O 130 nC Flange Mount Power Mosfet - TO-220FP
STMicroelectronicsSTP28N60M2
N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFETs in TO-220 package
STMicroelectronicsSTF28N60M2
N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFETs in TO-220FP package
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STF33N60M2 fornite dai suoi distributori.
N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power MOSFETs in TO-220FP package
STF33N60M2 N-channel MOSFET Transistor, 26 A, 650 V, 3-Pin TO-220FP
Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 600V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
35W(Tc) 25V 4V@ 250µA 45.5nC@ 10 V 1individualNChannel 600V 125mΩ@ 13A,10V 26A 1.781nF@100V TO-220FP Through hole mounting 20mm(height)
Mosfet, N-Ch, 600V, 26A, To-220Fp; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:600V; Continuous Drain Current Id:26A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3V Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STF33N60M2
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -14.31%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight329.988449 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)26 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance125 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.781 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation35 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max125 mΩ
Rise Time9.6 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time109 ns
Turn-On Delay Time16 ns
Dimensions
Height16.4 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Schede tecniche e documenti
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