STMicroelectronics STF2HNK60Z
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 months ago)
Parti correlate
STMicroelectronicsSTP3NK60ZFP
N-CHANNEL 600V - 3.3 Ohm - 2.4A TO-220FP Zener-Protected SuperMESH™ PowerMOSFET
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STF2HNK60Z fornite dai suoi distributori.
N-channel 600 V, 4.4 Ohm, 2 A Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET in TO-220FP package
STF2HNK60Z N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 2 A, 600 V, 3-PIN TO-220FP
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 1 A, 4.4 ohm, TO-220FP, Through Hole
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
N-channel 600 V, 3.5 OHM typ., 2 A SuperMESH Power MOSFET in a TO-220FP package Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 4.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N CH, 600V, 2A, TO-220FP; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 1A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 4.4ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.75V; Pow
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)2 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance4.8 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time50 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance280 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation20 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation20 W
Rds On Max4.8 Ω
Resistance4.8 Ω
Rise Time30 ns
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time13 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height16.4 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant