STMicroelectronics STF12N65M2
$ 0.898
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Distributore
SKU
Min
Pkg
Prezzi all'ingrosso
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -9.58%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Modelli CAD
Scarica il simbolo STMicroelectronics STF12N65M2, l'impronta e i modelli STEP 3D dai nostri partner di fiducia.
| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
Il sito del partner si aprirà in una nuova scheda quando si scaricano i modelli CAD
Scaricando i modelli CAD da Octopart, accetti i nostri Termini e condizioni e l'Informativa sulla privacy.
Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-03-11
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Parti correlate
STMicroelectronicsSTF13N65M2
N-channel 650 V, 0.37 Ohm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
STMicroelectronicsSTF11N65M5
N-channel 650 V, 0.43 Ohm typ., 9 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-220FP package
STMicroelectronicsSTF11NM50N
N-channel 500 V, 0.40 Ohm typ., 8.5 A MDmesh II Power MOSFET in a TO-220FP package
InfineonIPA60R460CEXKSA1
MOSFET N-CH 600V 9.1A TO220-FP N-Channel 600 V 9.1A (Tc) 30W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
onsemiFCPF380N65FL1
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, FRFET®, 650 V, 10.2 A, 380 mΩ, TO-220F
InfineonIPA60R450E6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220-FP N-Channel 600 V 9.2A (Tc) 30W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STF12N65M2 fornite dai suoi distributori.
N-channel 650 V, 0.42 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP package
N-Channel 650 V 500 mOhm Flange Mount MDmesh Power Mosfet - TO-220FP
STF12N65M2 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 8 A, 650 V, 3-PIN TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 650V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
STMicroelectronics NChannel EnhancedMOSTube MDmesh M2series, Vds=650 V, 8 A, TO-220FPencapsulation, Through hole mounting, 3Pin
MOSFET, N-CH, 650V, 8A, 150DEG C, 25W; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 8A; Drain Source Voltage Vds: 650V; On Resistance Rds(on): 0.42ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V;
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -9.58%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)8 A
Drain to Source Resistance500 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance535 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max500 mΩ
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time34 ns
Turn-On Delay Time9 ns
Dimensions
Height16.4 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm