STMicroelectronics STD9NM60N
$ 0.783
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -14.29%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per STMicroelectronics STD9NM60N.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
 SnapEDA | Impronta | 3D | Scarica |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-10-19
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)
Parti correlate
STMicroelectronicsSTD10NM50N
STMICROELECTRONICS STD10NM50N MOSFET Transistor, N Channel, 7 A, 500 V, 0.53 ohm, 10 V, 3 V
STMicroelectronicsSTD8NM60ND
Mosfet Transistor, N Channel, 7 A, 600 V, 0.59 Ohm, 10 V, 4 V Rohs Compliant: Yes
VishaySIHD7N60E-GE3
VISHAY SIHD7N60E-GE3 Power MOSFET, N Channel, 7 A, 650 V, 0.5 ohm, 10 V, 2 V
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STD9NM60N fornite dai suoi distributori.
N-channel 600 V, 0.63 Ohm, 6.5 A DPAK MDmesh(TM) II Power MOSFET
Trans MOSFET N-CH 600V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
MOSFET N-Channel 600V 6.5A DPAK
N-CH 600V 6.5A 745mOhm TO252-3 RoHSconf
Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 600V, 0.745ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
MOSFET, N CH, 600V, 6.5A, DPAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 6.5A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 0.63ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Power
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -14.29%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance745 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Fall Time26.7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance452 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation100 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingDigi-Reel®
Power Dissipation70 W
Rds On Max745 mΩ
Resistance745 mΩ
Rise Time23 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time52.5 ns
Turn-On Delay Time28 ns
Dimensions
Height2.4 mm
Length6.6 mm
Width6.2 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant