STMicroelectronics STD80N4F6
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N-channel 30 V, 0.0042 Ohm, 75 A, DPAK STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STD80N4F6 fornite dai suoi distributori.
Automotive-grade N-channel 40 V, 5.5 mOhm typ., 80 A, STripFET F6 Power MOSFET in DPAK package
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
STD80N4F6 40 V 6 mO 36 nC -Channel STripFET Power Mosfet - TO-252 (DPAK)
STD80N4F6 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 80 A, 40 V, 3-PIN DPAK
STMicroelectronics NChannel EnhancedMOSTube DeepGate, STripFETseries, Vds=40 V, 80 A, DPAK (TO-252)encapsulation, surface mount, 3Pin
MOSFET, N-CH, 40V, 80A, 175DEG C, 70W; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 80A; Drain Source Voltage Vds: 40V; On Resistance Rds(on): 0.0055ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Dissipation Pd: 70W; Transistor Case Style: TO-252; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: STripFET VI DeepGATE Series; Automotive Qualification Standard: AEC-Q101; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -100%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)80 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance1.1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time11.9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.15 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation70 W
Min Breakdown Voltage50 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation70 W
Rds On Max6 mΩ
Resistance6 MΩ
Rise Time7.6 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time46.1 ns
Turn-On Delay Time10.5 ns
Dimensions
Height2.4 mm
Length6.6 mm
Width6.2 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant