STMicroelectronics STD27N3LH5

Name: STMicroelectronics STD27N3LH5
Brand: STMicroelectronics
SKU: STD27N3LH5

N-channel 30 V, 0.014 Ohm, 27 A, DPAK, STripFET (TM) V Power MOSFET

Obsolete

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Win Source	WS-STD27N3LH5	6350	120					0,359	0,322	6h
Worldway Electronics	STD27N3LH5	15.104	7	Tape & Reel		0,040	0,038	0,036	0,036	5h
Aztech	STD27N3LH5	4546			3,780	3,780	3,780	3,780	3,780	1d
Anlinkda	STD27N3LH5	12.006			0,081	0,072	0,062	0,062	0,062	1d
Vigor Components	STD27N3LH5	302			0,550	0,550	0,550	0,550	0,550	3h

Modelli CAD

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Parti alternative

0 parti disponibili

Schede tecniche e documenti

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IHS

Datasheet21 pagine15 anni fa

Future Electronics

Supply Chain

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2009-05-06

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

Parti correlate

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Descrizioni

Descrizioni di STMicroelectronics STD27N3LH5 fornite dai suoi distributori.

N-channel 30 V, 0.014 Ohm, 27 A, DPAK, STripFET (TM) V Power MOSFET

STMicroelectronics

Trans MOSFET N-CH 30V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Verical

MOSFET N-channel 30 V 27 A DPAK IPAK

Jak Electronics

Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 30V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252

IHS

Alias del produttore

STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

ST MICRO
STM
SGS
SGS THOMSON
INMOS
STMICROE
STMICROEL
STMICR
ST MIC
ST MICROELECTRONIC
SGS THOMPSON
SESCOSEM
STMICROELECT
ST8
STMICROELECTRON
WAFERSCALE
SGS-ATES
ST MICROELECTRONICS SEMI
ST/SGS
ST MICROELECTRO
SGST
THOMS
STMICROELE
WAFERSCALE INTEGRATION INC
SGS-Thomson Microelectronics
ST Microeletronics

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Specifiche tecniche

Physical

Case/PackageTO-252-3

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals2

Technical

Continuous Drain Current (ID)27 A

Drain to Source Breakdown Voltage30 V

Drain to Source Resistance28 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)30 V

Fall Time2.8 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)22 V

Input Capacitance475 pF

Max Operating Temperature175 °C

Max Power Dissipation30 W

Min Breakdown Voltage30 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

PackagingDigi-Reel®

Power Dissipation30 W

Rds On Max19 mΩ

Resistance19 mΩ

Rise Time22 ns

Turn-Off Delay Time13 ns

Turn-On Delay Time4 ns

Schede tecniche e documenti

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IHS

Datasheet21 pagine15 anni fa

Future Electronics

Conformità

Classificazione ambientale

China RoHSNon-Compliant

Lead FreeLead Free

Radiation HardeningNo

REACH SVHCNo

RoHSCompliant