Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: Restocked
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi FQU1N50TU.
Parti correlate
STMicroelectronicsSTD3NK50Z-1
STMICROELECTRONICS STD3NK50Z-1 MOSFET Transistor, N Channel, 1.15 A, 500 V, 2.8 ohm, 10 V, 3.75 V
InfineonIPU50R2K0CEBKMA1
Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
onsemiNDDL01N60Z-1G
Tube Through Hole N-Channel MOSFET (Metal Oxide) Mosfet Transistor 800mA Ta 800mA 26W Tc 600V
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FQU1N50TU fornite dai suoi distributori.
MOSFET N-CH 500V 1.1A IPAK
Power Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 500V, 9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251
N-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFETs 500V N-Channel QFET
MISCELLANEOUS MOSFETS;
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: Restocked
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.1 A
Current Rating1.1 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance9 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance150 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max9 Ω
Rise Time25 ns
Turn-Off Delay Time8 ns
Voltage Rating (DC)500 V
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità