STMicroelectronics STD1HN60K3
$ 0.76
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Distributore
SKU
Min
Pkg
Prezzi all'ingrosso
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -1.53%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per STMicroelectronics STD1HN60K3.
Modelli CAD
Scarica il simbolo STMicroelectronics STD1HN60K3, l'impronta e i modelli STEP 3D dai nostri partner di fiducia.
| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
 SnapEDA | Impronta | Scarica | |
 Ultra Librarian | SimboloImpronta | Scarica |
Il sito del partner si aprirà in una nuova scheda quando si scaricano i modelli CAD
Scaricando i modelli CAD da Octopart, accetti i nostri Termini e condizioni e l'Informativa sulla privacy.
Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-04-09
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 8 months ago)
Parti correlate
STMicroelectronicsSTD1NK60T4
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 500 mA, 8.5 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
VishayIRFR1N60ATRPBF
MOSFET N-Channel 600V 1.4A 36W(Tc) 7Ω@840mA,10V 250µA 14nC@10V 229pF@25V TO-252 SMD
VishayIRFR1N60APBF
N-Channel MOSFET 600V 1.4A 36W(Tc) 7Ω@840mA,10V 229pF@25V TO-252 SMD 6.73mm × 6.22mm × 2.38mm
STMicroelectronicsSTD4NK60ZT4
N-channel 600 V, 1.76 Ohm, 4 A SuperMESH(TM) Power MOSFET in DPAK
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STD1HN60K3 fornite dai suoi distributori.
N-channel 600 V, 6.4 Ohm typ., 1.2 A, SuperMESH3(TM) Power MOSFET in DPAK package
STD1HN60K3 N-channel MOSFET Transistor, 1.2 A, 600 V, 3-Pin DPAK
Trans MOSFET N-CH 600V 1.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
27W(Tc) 30V 4.5V@50µA 9.5nC@10V N-Ch MOSFET 600V 8Ω@600mA,10V 1.2A 140pF@50V TO-252 SMD 6.6mm×6.2mm×2.4mm
Hv Mosfet Mdmesh |Stmicroelectronics STD1HN60K3
MOSFET N-Ch 600V 6.4Ohm 1.2A SuperMESH3 FET
Power Field-Effect Transistor, 0.76A I(D), 600V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
Power MOSFETs, 600V, 1.2A, DPAK, Tape and Reel
STMicroelectronics SCT
600V 1.2A 6.7´Î@10V600mA 27W 3.75V@50uA 2pF@50V N Channel 140pF@50V 9.5nC@10V -55¡Í~+150¡Í@(Tj) DAPK MOSFETs ROHS
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -1.53%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins2
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)760 mA
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance8 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time31 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance140 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation27 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation27 W
Rds On Max8 Ω
Resistance8 Ω
Rise Time10 ns
Turn-Off Delay Time23 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Dimensions
Height2.4 mm
Length6.6 mm
Width6.2 mm
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per STMicroelectronics STD1HN60K3.
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant